Robô faz pesquisa no blog

🔍 Buscar no Blog ×
Olá! Digite o assunto ou a palavra-chave que você procura, e eu listarei as postagens do blog para você.

O Enigma do MOSFET

Analisando um Problema de Eletrônica: O Enigma do MOSFET

Olá, entusiastas da eletrônica! Hoje vamos mergulhar de cabeça em um problema de circuito intrigante. A questão pede para calcular a corrente de dreno (ID) de um MOSFET. Mas será que o enunciado original está totalmente correto? Vamos dar uma olhada e descobrir!


O Desafio: Calcular a Corrente de Dreno

O circuito proposto apresenta as seguintes especificações teóricas para análise:

  • Tensões de Alimentação: VDD = +15 V, VGG = +5 V
  • Resistores: RD = 2.2 kΩ, RG = 100 kΩ, RS = 1.0 kΩ
  • Parâmetros Fornecidos: IDSS = 8 mA, VP = -4 V
  • Equação Base: Equação de Shockley ID = IDSS · [1 - (VGS / VP)]²

A Análise: Onde Está a Pegadinha Teórica?

Antes de partirmos para os cálculos, precisamos manter o olhar crítico. Há uma contradição conceitual clássica na imagem original: ela rotula o componente como um "N-Channel Enhancement MOSFET" (MOSFET de Intensificação).

Por que isso é um erro conceitual?
Os parâmetros IDSS (corrente com VGS = 0) e VP (tensão de pinch-off negativa), junto com a equação de Shockley, aplicam-se exclusivamente a JFETs ou MOSFETs de Depleção. Dispositivos de Intensificação (Enhancement) exigem uma tensão de limiar positiva (Vth) para começar a conduzir e utilizam outra equação matemática.

Nota do Blog: Para fins didáticos e matemáticos, vamos ignorar o erro do rótulo e resolver o circuito assumindo as equações e parâmetros fornecidos!


Resolução Passo a Passo

Passo 1: Análise do Portão (Gate)

Como a corrente de portão em um MOSFET ideal é zero (IG = 0), não há queda de tensão no resistor RG. Portanto:

VG = VGG = 5 V

Passo 2: Relação da Fonte (Source) e VGS

A tensão na fonte depende da corrente que passa por RS:

VS = ID · RS = ID · 1000 Ω

Sabendo que VGS = VG - VS, temos:

VGS = 5 - 1000 · ID

Passo 3: Substituição na Equação de Shockley

Substituindo os valores conhecidos (IDSS = 0.008 A e VP = -4 V):

ID = 0.008 · [ 1 - (5 - 1000·ID) / -4 ]²
ID = 0.008 · [ 1 + 1.25 - 250·ID
ID = 0.008 · [ 2.25 - 250·ID

Passo 4: Desenvolvendo a Equação Quadrática

Expandindo o termo ao quadrado e multiplicando por 0.008, chegamos à seguinte equação de segundo grau:

500·ID² - 10·ID + 0.0405 = 0

Aplicando a fórmula de Bhaskara, encontramos duas raízes matemáticas possíveis:

  1. ID1 ≈ 14.36 mA
  2. ID2 ≈ 5.64 mA

Passo 5: Validação Física do Resultado

Para descobrir qual das duas correntes é a real, testamos o valor de VGS gerado por cada uma. O dispositivo só conduz se VGS for maior que a tensão de pinch-off (VP = -4 V).

Corrente Testada Cálculo de VGS Condição (VGS > -4 V)
14.36 mA 5 - (14.36) = -9.36 V Inválido (Dispositivo Cortado)
5.64 mA 5 - (5.64) = -0.64 V Válido! (Região Ativa)

Resultado Final

A resposta correta para o circuito proposto é uma corrente de dreno de ID = 5.64 mA.

Gostou dessa análise detalhada? Fique atento aos esquemáticos que você encontra pela internet, pois erros de nomenclatura em exercícios de livros são mais comuns do que parecem! Deixe suas dúvidas nos comentários.


Calculadora Interativa

Teste outros valores de VDD, VGG, IDSS, VP, RD e RS e veja o resultado na hora:

Comentários